Bateries de ions de liti de 24 V 100 Ah

Una estructura de textura eficaç pot augmentar el corrent de curt-circuit, contribuint a millorar el rendiment de les cèl·lules solars. Aquest article va detallar primer el comportament de corrosió de les hòsties de silici en un sistema HF/HNO3/H2O. En variar la proporció de la solució de gravat, la temperatura i el temps, es va investigar la taxa de corrosió, la reflectivitat de les hòsties de silici i els paràmetres de sortida de la cèl·lula. Els experiments van trobar que la taxa de corrosió primer augmentava i després disminuïa amb l'augment del contingut d'HF al sistema HF/HNO3/H2O i augmentava amb l'augment de la temperatura. Pel que fa a la reflectivitat, la relació HF:HNO3 de 3:1 va produir la reflectivitat més baixa per a les hòsties de silici. Tanmateix, després del recobriment anti-PECVD, aquest avantatge va disminuir lleugerament en comparació amb les hòsties preparades en altres condicions de gravat. Pel que fa als paràmetres de sortida de la cèl·lula, la relació HF:HNO3 de 3:1 va mostrar una eficiència més baixa, mentre que la relació HF:HNO3 d'1:5, amb una reflectivitat lleugerament superior, va aconseguir la màxima eficiència. A partir de la investigació sobre el comportament a la corrosió de les hòsties de silici en un sistema HF/HNO₃/H₂O, aquest article proposa un nou mètode de texturació que implica gravat àcid secundari, que difereix dels processos de producció convencionals. Inicialment, la hòstia de silici se sotmet a un gravat primari en un gravador ric en HNO₃-, seguit d'un gravat secundari en un gravador ric en HF-. Aquest mètode optimitza la textura de la superfície i redueix les pèrdues de reflexió de la llum a la superfície de silici. Després de la textura, es va analitzar la morfologia superficial de les hòsties de silici mitjançant un microscopi electrònic d'escaneig (SEM) i es va mesurar l'espectre de reflectància mitjançant un espectrofotòmetre Carry 5000 UV-Vis-NIR. La reflectivitat mínima del procés de gravat secundari (sense recobriment antireflectant) va ser del 20,34%, un 2,36% inferior a la del procés de gravat primari (22,70%). A més, es va aplicar el nou procés de gravat secundari a la producció industrial de cèl·lules solars i es van analitzar els paràmetres de sortida de les cèl·lules. Els resultats mostren que la tensió-de circuit obert, el corrent de curt-circuit i l'eficiència de les cèl·lules solars tractades amb el procés de gravat secundari van millorar en diferents graus en comparació amb les que utilitzen el procés de gravat primari, amb l'eficiència més alta arribant al 15,45%.